三星称将在美国击败台积电4nm产能 明年尾大批量破费

  发布时间:2024-05-17 10:31:47   作者:玩站小弟   我要评论
IT之家今日9月8日)新闻,三星对于其代工营业的大规模投资彷佛终于患上到了酬谢。凭证 TrendForce 的数据,该公司的条约芯片制作部份正在赢患上市场份额。此外,三星有望于 2024 年尾前在美国 。

IT之家今日(9月8日)新闻,将美积电三星对于其代工营业的国击大规模投资彷佛终于患上到了酬谢。凭证 TrendForce 的败台数据,该公司的明年条约芯片制作部份正在赢患上市场份额。

三星称将在美国击败台积电4nm产能 明年尾大批量破费

此外,批量破费三星有望于 2024 年尾前在美国开始大规模破费接管 4 纳米级工艺技术的将美积电芯片,争先于台积电位于亚利桑那州的国击 Fab 21 工场。

据《韩国先驱报》报道,败台三星散漫首席实施官 Kyung Kye-hyun 在首尔国立大学的明年一次特意演讲中展现,三星代工场对于其在半导体市场的批量破费位置持悲不雅态度,并豫备比从前更自动地挑战台积电。将美积电

三星即将在美国患上克萨斯州泰勒临近建树的国击晶圆厂,将是败台该公司多年来在美国的第一座争先破费配置装备部署,三星对于其寄托厚望,明年将使其可能知足美国泛滥客户的批量破费需要,并挑战英特尔以及台积电的代工场效率。

报道称,假如所有按妄想妨碍,三星 4 纳米级工艺技术(SF4E、SF四、SF4P、SF4X 以及 SF4A)的新工场将于2024 年尾开始大批量破费。尽管这很难对于代工市场发生空谷传声的影响,但三星可能说它凭仗美国的 4 纳米工艺击败了台积电。

不外,三星代工仍将落伍于英特尔代工效率,后者妄想于 2024 年开始在其 20A(2 纳米级)节点上破费芯片,并于 2024 年至 2025 年开始在18A(1.8 纳米级)节点上破费芯片。

TrendForce 数据展现,三星代工场在代工芯片制作市场上的市场份额从第一季度的 9.9% 飙升至 2023 年第二季度的 11.7%,支出抵达 32.34 亿美元(之后约 237.05 亿元国夷易近币),高于第一季度的 27.57 亿美元。尽管台积电坚持了主导位置,但其市场份额着落至 56.4%,营收为 156.56 亿美元。

三星称将在美国击败台积电4nm产能 明年尾大批量破费

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